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前照式(FSI)与背照式(BSI)CMOS对微光夜视的影响返回列表 >>

2021-08-09 4483

早期的CIS采用的是前面照度技术FSI(FRONT-SIDE ILLUMINATED),拜尔阵列滤镜与光电二极管(PD)间夹杂着金属(铝,铜)区,大量金属连线的存在对进入传感器表面的光线存在较大的干扰,阻碍了相当一部分光线进入到下一层的光电二极管(PD),信噪比较低。技术改进后,在背面照度技术BSI(FRONT-SIDE ILLUMINATED)的结构下,金属(铝,铜)区转移到光电二极管(PD)的背面,意味着经拜尔阵列滤镜收集的光线不再众多金属连线阻挡,光线得以直接进入光电二极管;BSI不仅可大幅度提高信噪比,且可配合更复杂、更大规模电路来提升传感器读取速度。

当微光相机在低光照条件下使用时,在近红外照明环境中需要高灵敏度。为了满足这一要求,我司基于长光辰芯国产背照式CMOS图像传感器开发出了几款高灵敏度的微光相机,不仅在可见光范围内,而且在近红外光范围内都具有更高的灵敏度。新一代背照式CMOS芯片加大了图像传感器的量子效率,提高了传感器对于近红外光谱的灵敏度,使传感器能耗更少,看得更远更清晰。

下方是同款型号CMOS前照式和背照式的成像效果:

前照式芯片(0.005LUX

背照式芯片(0.005LUX